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Si1401EDH
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.1
10 -3
10 -4
0.08
10 -5
T J = 150 °C
0.06
10 -6
0.04
10 -7
T J = 25 °C
10 -8
0.02
10 -9
0
0
3
6
9
12
15
10 -10
0
3
6
9
12
15
V GS - Gate-Source Voltage (V)
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
V GS - Gate-Source Voltage (V)
Gate Current vs. Gate-Source Voltage
25
V GS = 5 V thru 3 V
V GS = 2.5 V
5
20
15
10
V GS = 2 V
4
3
2
T C = 25 °C
5
V GS = 1.5 V
1
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.10
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 1.5 V
8
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
I D = 5.5 A
0.08
V GS = 1.8 V
6
0.06
V DS = 3 V
0.04
0.02
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
4
2
V DS = 9.6 V
V DS = 6 V
0.00
0
5
10
15
20
25
0
0
5
10
15
20
25
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
Document Number: 70080
S10-1537-Rev. A, 19-Jul-10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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